History Of Sic

Silisiumkarbidtilhører den tredje generasjonen av halvledermaterialer, sammenlignet med vanlige silisiummaterialer, er silisiumkarbidfordelene svært fremtredende, det overvinner ikke bare noen av manglene til vanlige silisiummaterialer, strømforbruket er også veldig god ytelse, og blir dermed de mest lovende halvledermaterialene innen kraftelektronikk. På grunn av dette har flere og flere halvlederselskaper begynt å komme inn på SiC-markedet.

Den første oppdagelsen av silisiumkarbid i menneskets historie var i 1891, den amerikanske Acheson i elektrosolvasjon av diamant når en karbonforbindelse, som er den første syntesen og oppdagelsen av silisiumkarbid.

Deretter, forskere fra forskjellige land etter grundig forskning, endelig sortert ut fordelene og egenskapene til silisiumkarbid, og oppfant en rekke silisiumkarbid lang krystall teknologi, industriell forskning før og etter opp til mer enn 70 år. 2001 da Infineon laget den første silisiumkarbiddioden, og deretter Cree, Rohm, ST og andre selskaper har også gått inn på feltet silisiumkarbid, laget silisiumkarbiddioder, transistorer, MOSFET-rør, etc., er det en rekke silisiumkarbid dioder, transistorer, MOSFET-rør og så videre. MOSFET rør, etc., et lite antall forskningsinstitusjoner med utvikling av silisiumkarbid IGBT struktur, men IGBT strukturen på et øyeblikk for å finne anvendelsen av scenen.

Tidligere vet vi alle at silisiumkarbid er veldig bra, men det er mange problemer, den første lange krystallteknologien er umoden, for mange defekter i krystallen, noe som alvorlig påvirker utbyttet og stabiliteten, påliteligheten;

For det andre kjenner vi ikke applikasjonsscenarioene, for selv om ytelsen til silisiumkarbidenheten er sterk, er den for dyr, og vi kan ikke finne et veldig passende kommersiell landingssted. Men alt dette endres av Tesla, Tesla er det første bilselskapet i bransjen som foreslår bruk av silisiumkarbid for å erstatte silisium, og dristig brukt i Teslas Maodou 3, etterfulgt av andre bilprodusenter har fulgt etter, silisiumkarbid innledet en storskala ombord scene, så industrien mener at det første året med utvikling av silisiumkarbid er i 2019, og Teslas dristige trekk åpnet opptakten til høyhastighetsutviklingen av karbonisering.